Browsing by Author "Unzueta Solozabal, Iraultza"
Now showing 1 - 4 of 4
- Results Per Page
- Sort Options
Item Hutsune erako Akatsen Azterketa Ni-Mn-Z (Z = Ga, Sn, In) AleazioetanUnzueta Solozabal, Iraultza; Zabala Unzalu, Nerea; Sanchez Alarcos, Vicente; Recarte Callado, Vicente; Perez Landazabal, Jose Ignacio; Garcia Martinez, Jose Angel; Plazaola Muguruza, FernandoPositroi-deuseztapen bizidenboren espektroskopiaren bidez eta positroi-bizidenboren kalkulu teorikoen bitartez,Ni50Mn50−xSnx (x = 25, 20, 15, 13, 10) eta Ni50Mn50−xInx (x = 25, 20, 16, 13) aleazioen hutsune erako akatsakaztertu dira. Ni2MnGa aleazioan aurretiaz burutu diren ikerketez baliatuz, akats-motaren zehaztapena Ni2MnGalaginera hedatu da ere. Elektroi-positroi kalkuluen emaitzak eta esperimentalki neurtutako emaitzak alderatuz,aztertutako aleazioetan agertzen den hutsune erako akatsa VNi dela frogatzen da.Bestalde, elektroi-positroikalkulu zehatzak burutzeko erabili behar den hobekuntza-faktorearen bost parametrizazio ezberdin aztertu dira lanhonetan. Guzti horien artean emaitza esperimentalak hobekin aurresaten duena zehaztu da.Item Mikroegiturako akatsek, Ni-oinarridun Heusler aleazioen transformazio martensitikoan eta propietate magnetikoetan duten eraginaren azterketa(UPV/EHU) Unzueta Solozabal, IraultzaItem Positroi-Deuseztapen Erdibizitzaren Espektroskopia Bidezko Ezaugarritze Mikroestrukturala Memoria Formadun Aleazio eta Isolatzaile TopologikoetanUnzueta Solozabal, IraultzaPositroi-deuseztapen erdibizitzaren espektroskopia (PALS) erabiliz, memoria formadun aleazio etaBi2Se3 isolatzaile topologikoa ezaugarritu da. Aleazioen kasurako, hutsuneen dentsitatea, transformaziomartensitikoaren tenperatura zein propietate magnetikoak erlazionaturik daude. Hutsune hauen kon-tzentrazioak PALS teknikaren bidez neurtzen dira. Bi2Se3 isolatzaile topologikoei dagokionez, egiturakristalinoan ager daitezkeen defektuek zein beren izaerak haien egitura elektronikoa eralda dezakete.Gure lehenengo emaitzen arabera, as-grown laginen akats natiboak honako hauek dira: dira: i) Vande Walls indarren bitartez elkarturiko geruzetan kokatzen diren selenio hutsuneak, eta ii) kargaturikotranpa ionikoak, segur aski antikokapen erako akatsak direnak.Item Teknika nuklearren bidezko ezaugarritze mikroestrukturala memoria formadun aleazio eta isolatzaile topologikoetan(UPV/EHU arg) Unzueta Solozabal, Iraultza; Axpe Iza, Eneko; Merida Sanz, David; Legarra Saez, Estibaliz; Zabala Unzalu, Nerea; Sanchez Alarcos, Vicente; Perez Landazabal, Jose Ignacio; Recarte Callado, Vicente; Muñoz Sanjosé, Vicente; Plazaola Muguruza, Fernando; Garcia Martinez, Jose Angel